Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
у знайденому
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (21)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Boiko I$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 25
Представлено документи з 1 до 20
...
1.

Boiko I. I. 
Band carriers scattering on impurities [Електронний ресурс] / I. I. Boiko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2010. - Vol. 13, № 2. - С. 214-220. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2010_13_2_22
Mobility of band carriers scattered on donors, partially ionized, partially neutral, at low temperatures, is considered in general and calculated for AIII-BV group crystals. It is shown that temperature dependence of mobility is determined by relationship between number of ionized and neutral donors and by average energy of electrons.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.823 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Boiko I. I. 
Influence of electron-electron drag on piezoresistance of n-Si [Електронний ресурс] / I. I. Boiko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 2. - С. 183-187. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_2_12
Piezoresistance of n-Si is considered with due regard for inter-valley drag. It has been shown that inter-valley drag gains the piezocoefficient and diminishes the mobility. In the region of nondegenerate carriers, the effect of drag increases when the carrier concentration rises and temperature falls.
Попередній перегляд:   Завантажити - 159.172 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
3.

Boiko I. I. 
Influence of mutual drag of light and heavy holes on conductivity of p-silicon and p-germanium [Електронний ресурс] / I. I. Boiko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 3. - С. 357-361. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_3_19
Conductivity of p-Si and p-Ge is considered for the two-band model with due regard for mutual drag of light and heavy holes. It is shown that for small and moderate temperatures this drag significantly diminishes the drift velocity of light holes and, as a result, the whole conductivity of crystal. The drag effect considered here appears also in the form of non-monotonous dependences of conductivity on temperature and carrier concentration.Hall-effect and magnetoresistivity of holes in silicon and germanium are considered with due regard for mutual drag of light and heavy band carriers. Search of contribution of this drag shows that this interaction has a sufficient influence on both effects.
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.066 Mb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Boiko I. I. 
Influence of mutual drag of light and heavy holes on magnetoresistivity and Hall-effect of p-silicon and p-germanium [Електронний ресурс] / I. I. Boiko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2011. - Vol. 14, № 4. - С. 437-440. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2011_14_4_13
Conductivity of p-Si and p-Ge is considered for the two-band model with due regard for mutual drag of light and heavy holes. It is shown that for small and moderate temperatures this drag significantly diminishes the drift velocity of light holes and, as a result, the whole conductivity of crystal. The drag effect considered here appears also in the form of non-monotonous dependences of conductivity on temperature and carrier concentration.Hall-effect and magnetoresistivity of holes in silicon and germanium are considered with due regard for mutual drag of light and heavy band carriers. Search of contribution of this drag shows that this interaction has a sufficient influence on both effects.
Попередній перегляд:   Завантажити - 130.293 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Boiko I. I. 
Transport phenomena of two-dimensional band carriers with Dirac-like energetic spectrum [Електронний ресурс] / I. I. Boiko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2012. - Vol. 15, № 2. - С. 129-138. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2012_15_2_6
Conductivity of monolayer and bilayer graphene is considered with due regard for mutual drag of band electrons and holes. Search of contribution of the drag to conductivity shows that it sufficiently influences on mobility at high concentrations of carriers, which belong to different groups and have different drift velocities. In bilayer system the mutual drag can even change the direction of partial current. Magnetoresistivity and Hall effect were theoretically investigated for neutral and gated graphene. It is shown that for spatially unlimited neutral graphene Hall effect is totally absent. In gated, exactly monopolar graphene for the same case effect of magnetoresistivity vanishes; here the Hall constant does not involve any relaxation characteristic in contrast to results obtained for the popular method of <$E tau>-approximation. It is shown that limited sizes of crystal with monopolar conductivity can be cause for impressive dependence of the Hall constant and magnetoresistivity on the value of external magnetic field.
Попередній перегляд:   Завантажити - 279.161 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
6.

Mostenska Т. 
Current state and trends in solid waste recycling in Ukraine [Електронний ресурс] / Т. Mostenska, I. Boiko // Наукові праці Національного університету харчових технологій. - 2015. - Т. 21, № 4. - С. 91-98. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/Npnukht_2015_21_4_12
Попередній перегляд:   Завантажити - 326.253 Kb    Зміст випуску     Цитування
7.

Boiko I. V. 
Motivation and stimulation of effective teaching and learning process [Електронний ресурс] / I. V. Boiko // Advanced education. - 2015. - Вип. 3. - С. 20-25. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/novocv_2015_3_6
Розглянуто методи мотивації та стимулювання успішного навчального процесу у вищій школі, їх роль в системі освіти та вплив на сам освітній процес, а також на всебічний розвиток особистості студентів. Запропоновано основні методи заохочення та покарання студентів у процесі навчання, їх теоретичне обгрунтування й особливості застосування на практиці. Наведено класифікацію основних мотивів до навчання та особистісного розвитку студентів у процесі здобуття вищої освіти. Розглянуто основні види педагогічної оцінки, а саме предметний і персональний, матеріальний та моральний, результативний і процесуальний, кількісний та якісний. Поряд з видами педагогічних оцінок виділено способи стимулювання навчальних і виховних успіхів, головні: увага, схвалення, визнання, оцінка, підтримка, нагорода, підвищення соціальної ролі, престижу і статусу студента як особистості. Кожен з перелічених способів стимулювання розглянуто окремо. Детально висвітлено групи методів стимулювання та мотивації, що розподілено на дві основні підгрупи: методи формування пізнавальних інтересів і методи, спрямовані переважно на формування почуття обов'язку та відповідальності у навчанні. До методів формування пізнавального інтересу відносяться: створення на занятті ситуації зацікавлення - введення в навчальний процес цікавих прикладів, експериментів, парадоксальних фактів, використання цікавих аналогій, створення ситуації новизни, актуальності, моделювання у навчальному процесі ігрових ситуацій, навчальні дискусії, стимулювання за допомогою аналізу життєвих ситуацій, ситуації успіху в навчанні. Методи, спрямовані на формування почуття обов'язку та відповідальності у навчанні включають висунення навчальних вимог, а також заохочення та засудження у навчанні.
Попередній перегляд:   Завантажити - 435.79 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
8.

Svirepchuk I. A. 
Ways of independent work organization in foreign language teaching [Електронний ресурс] / I. A. Svirepchuk, I. V. Boiko // Вісник Національного технічного університету України "Київський політехнічний інститут". Серія : Філологія. Педагогіка. - 2016. - Вип. 7. - С. 63-67. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/vntufil_2016_7_13
Попередній перегляд:   Завантажити - 1.04 Mb    Зміст випуску     Цитування
9.

Gryschuk A. M. 
Influence of dimensional static and dynamic charges on conduction in the active zone of a quantum cascade laser [Електронний ресурс] / A. M. Gryschuk, I. V. Boiko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 2. - С. 123-127. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_2_4
The theory of active dynamic conductivity in the three-barrier active zone of a quantum cascade laser has been developed in the model of the electron effective mass and rectangular potential in the low signal approximation. In the preceding paper, it was shown that the static charge causes an increase of the lifetime of electronic quasi-stationary states and the shift of the energy levels into the high-energy range without changing maximum values of the active dynamic conductivity. The dynamic charge causes redistribution of the partial components of the active dynamic conductivity without affecting the spectral parameters of electron. It has been set that the partial components of the dynamic conductivity caused by the passing through electron flow from nanostructures reduce, and the components of conductivity caused by the flow in the opposite direction increase, thus, the conductivity value remains constant.
Попередній перегляд:   Завантажити - 351.797 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
10.

Boiko I. I. 
Dependence of the collision integral on electric field [Електронний ресурс] / I. I. Boiko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2015. - Vol. 18, № 2. - С. 138-143. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2015_18_2_7
Conductivity of charged band carriers is considered for the case when collision integral evidently depends on electric field. This dependence for the case of scattering by charged impurities results in decrease of carrier conductivity.
Попередній перегляд:   Завантажити - 380.408 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
11.

Boiko I. I. 
Influence of field dependent form of collision integral on kinetic coefficients [Електронний ресурс] / I. I. Boiko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2016. - Vol. 19, № 2. - С. 173-182. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2016_19_2_9
The kinetic equation is turned out in the form that contains collision integral obviously dependent on the value of external electric and magnetic fields. The correspondent calculation of kinetic coefficients shows that for the case considered here they depend evidently on the ratio of average deBroighle wavelength and free-path length. Just here, the real possibility appears toreasonably separate physical kinetics by the classic and non-classic (quantum) ones.
Попередній перегляд:   Завантажити - 273.314 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
12.

Boiko I. 
Olympic education in the preparation of the volunteers of international sports competitions [Електронний ресурс] / I. Boiko // Теорія і методика фізичного виховання і спорту. - 2017. - № 1. - С. 11-14. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TMFVS_2017_1_3
Попередній перегляд:   Завантажити - 263.189 Kb    Зміст випуску     Цитування
13.

Boiko I. I. 
Comparison of some different ways used for approximate solution of kinetic equation and calculations of carrier mobility [Електронний ресурс] / I. I. Boiko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2017. - Vol. 20, № 4. - С. 447-457. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2017_20_4_11
Consideration of different problems of physical kinetics shows that obtained non-equilibrium distribution function and following kinetic coefficients calculated are significantly dependent on choice of approach to approximate solution of kinetic equation. Therefore, in real practice any separate popular way of solution cannot be confidently considered as a reliable result. Here, several approaches are used, and the obtained different distribution functions and mobility have been compared.
Попередній перегляд:   Завантажити - 251.952 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
14.

Boiko I. 
Model of nanoporous medium with charged impurities [Електронний ресурс] / I. Boiko, M. Petryk, D. Mykhalyk // Scientific journal of the Ternopil national technical university. - 2017. - № 3. - С. 134-138. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/tstub_2017_3_16
Попередній перегляд:   Завантажити - 364.748 Kb    Зміст випуску     Цитування
15.

Kondrashova A. V. 
Consequences of information explosion. The influence of new conditions on the foreign language teaching methods [Електронний ресурс] / A. V. Kondrashova, I. V. Boiko // Одеський лінгвістичний вісник. - 2017. - Вип. 9(3). - С. 142-145. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/olinv_2017_9(3)__32
Попередній перегляд:   Завантажити - 179.208 Kb    Зміст випуску     Цитування
16.

Boiko I. I. 
Influence of inter-electron scattering on the form of non-equilibrium distribution function of band carriers [Електронний ресурс] / I. I. Boiko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2018. - Vol. 21, № 2. - С. 114-124. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2018_21_2_4
Consideration of different problems of physical kinetics shows that nonequilibrium distribution function of band carriers and, consequently, kinetic coefficients significantly depend on the specific shape of bands and mutual interaction of carriers. The most impressive results are related with interband scattering of mobile particles belonging to many-valley systems.Consideration of different problems of physical kinetics shows that nonequilibrium distribution function of band carriers and, consequently, kinetic coefficients significantly depend on the specific shape of bands and mutual interaction of carriers. The most impressive results are related with interband scattering of mobile particles belonging to many-valley systems. Especially essential process of e-e-interaction is peculiar for the so-called half-metals (wolfram, bismuth, molibdenum, indium and many others).
Попередній перегляд:   Завантажити - 251.309 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
17.

Boiko I. I. 
Influence of inter-electron scattering on the form of non-equilibrium distribution function of band carriers [Електронний ресурс] / I. I. Boiko // Semiconductor physics, quantum electronics & optoelectronics. - 2019. - Vol. 22, № 2. - С. 139-149. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/MSMW_2019_22_2_4
Consideration of different problems of physical kinetics shows that nonequilibrium distribution function of band carriers and, consequently, kinetic coefficients significantly depend on the specific shape of bands and mutual interaction of carriers. The most impressive results are related with interband scattering of mobile particles belonging to many-valley systems.Consideration of different problems of physical kinetics shows that nonequilibrium distribution function of band carriers and, consequently, kinetic coefficients significantly depend on the specific shape of bands and mutual interaction of carriers. The most impressive results are related with interband scattering of mobile particles belonging to many-valley systems. Especially essential process of e-e-interaction is peculiar for the so-called half-metals (wolfram, bismuth, molibdenum, indium and many others).
Попередній перегляд:   Завантажити - 234.255 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
18.

Kaplun D. V. 
Radiographic changes in the bone grafts during guided bone regeneration with the use of titanium mesh on classical and authors' own methods for the mucosal flaps detachment [Електронний ресурс] / D. V. Kaplun, D. S. Avetikov, O. S. Ivanytska, I. V. Boiko, V. M. Havryliev // Світ медицини та біології. - 2020. - № 1. - С. 63-68. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/S_med_2020_1_15
Попередній перегляд:   Завантажити - 164.382 Kb    Зміст випуску     Цитування
19.

Boiko Y. 
The study of the anti-inflammatory properties of carotenoid liquid extracts on the model of adju-vant-induced inflammation [Електронний ресурс] / Y. Boiko, M. Ayat, I. Boiko, A. Shandra // ScienceRise. Biological Science. - 2021. - № 2. - С. 4-9. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/texcsrb_2021_2_3
Попередній перегляд:   Завантажити - 245.028 Kb    Зміст випуску     Цитування
20.

Popel S. L. 
Clinical-neuro-physiological characteristics of myofascial Pain syndrome in a patient with left hemyplegia after intra-cerebral hemorrhagic stroke [Електронний ресурс] / S. L. Popel, T. P. Vasylyk, I. M. Boiko, S. L. Anokhina, M. V. Koval // Art of medicine. - 2021. - № 3. - С. 147-151. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/artmed_2021_3_26
Попередній перегляд:   Завантажити - 460.763 Kb    Зміст випуску     Цитування
...
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського